Explique el funcionamiento de la memoria RAM utilizando los principios de la mecánica cuántica, el electromagnetismo y la nanotecnología
Respuestas a la pregunta
Entre las memorias RAM tenemos las SRAM (RAM estáticas o no volátiles) y las DRAM (RAM de acceso dinámico).
Las memorias SRAM no pierden el contenido al ser desconectadas y tampoco necesitan refresco mientras estén conectadas. Cada bit es un transistor de tipo MOSFET (que tienen tres terminales: fuente, compuerta y drenaje, la corriente fluye por el sustrato entre la compuerta y el drenaje siendo controlada por una tensión en la compuerta, aislada del sustrato por medio de una capa dieléctrica de óxido), en el cual hay una placa metálica dentro de la capa de óxido.
Al momento de escribirlas, se coloca una diferencia de potencial eléctrico entre la compuerta y el drenaje que hace que algunos electrones pasen a través de la capa de óxido mediante el efecto túnel para luego quedar atrapadas en la placa metálica (que está totalmente rodeada de óxido).
Esas cargas atrapadas (que son electrones) generan un campo eléctrico que atrae portadores de carga del sustrato del transistor y los acumula cerca de la compuerta, formando un canal conductivo que permite el paso de la corriente eléctrica entre la fuente y el drenaje.
Si bien las SRAM no pierden el contenido al ser escritas, tienen un número limitado de escrituras, ya que la capa de óxido sufre desgaste en cada una de ellas.
En cuanto a las memorias memoras DRAM, cada bit es un capacitor que está cargado o descargado según el estado lógico. El capacitor va perdiendo gradualmente su carga debido a que el dieléctrico no es ideal y conduce una pequeña corriente a través de sí, por lo que un sistema electrónico carga periódicamente (típicamente lo hace 18 veces por segundo) los capacitores que forman la memoria, lo que se conoce como "refresco".