en que generacion usaban circuitos integrados a alta escala
Respuestas a la pregunta
Respuesta:
La rapidez del desarrollo tecnológico ha dado lugar a que se puedan
integrar simultáneamente en un mismo dispositivo un número determinado
de puertas entre sí, que realizan una función concreta, así a principio de los
años sesenta llegó la aparición del circuito integrado.
A partir de entonces se han ido mejorando las técnicas de fabricación de
forma espectacular, hasta llegar a la actualidad, donde es posible encontrar
en una superficie de algo más de 1 cm cuadrado cientos de miles de
puertas lógicas.
Dependiendo del número de elementos (puertas) que se encuentren
integrados en el chip se dice que ese circuito está dentro de una
determinada escala de integración.
INTRODUCCIÓN
El gran avance de la Electrónica, que ha permitido alcanzar el nivel de
desarrollo actual, fue la sustitución de los tubos de vacío por los
dispositivos semiconductores
La utilización de contactos entre materiales sólidos diferentes para
controlar la corriente eléctrica fue relativamente temprana
1874, Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una unión
metal-semiconductor con respecto a la polaridad de la tensión aplicada y
las condiciones de las superficies de contacto
1904 se utilizó un dispositivo de puntas de contacto como rectificador
(Diodo)
1920 se había generalizado el uso comercial de rectificadores cobre-óxido
de cobre o hierro-selenio
Primer transistor
1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y
Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.
Consiguieron Nobel en 1956
1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unión (npn pnp)
1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de
unión con posibilidades comerciales inmediatas
1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el
FET de unión (JFET).
1955 I.M.Ross describió la estructura MOSFET de enriquecimiento tal como
se conoce hoy día, es decir, con uniones p-n en la fuente y el drenador.
A pesar de ser la idea del MOSFET más antigua que la del BJT, fueron los
avances tecnológicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que
hicieron viable al de efecto campo. No obstante habría que esperar a que se
perfeccionara la tecnología para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET
1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California)
Hewlett y Packard ,Shockley Transistor Corporation, Fairchild Semiconductor
Corporation, Texas Instruments
1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patentó un flipflop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro
1959 Noyce de Fairchild patentó la idea de circuito integrado de silicio
utilizando en 1960 la tecnología planar para definir, mediante fotolitografía,
transistores y resistencias interconectados usando líneas delgadas de aluminio
sobre el óxido de pasivación
Se comenzó a usar el silicio como material semiconductor por sus
propiedades:
· Fácil oxidación, Pasivación.
· Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.
· Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden
actuar como condensadores
1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo
Alrededor de 1968 ya se habían propuesto las estructuras básicas MOS.
Desde entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnológicos se han
dedicado a la miniaturización de los dispositivos con el propósito de aumentar
su velocidad y la densidad de integración: ES LA TAREA DE MI ESCUELA TE LA EMPRESTO MEDAS CORONITA SI
PODFABO
Respuesta:
Después de los circuitos integrados, apareció la Integración a Gran Escala, la cual integró cientos de componentes en un sólo chip, logrando así una reducción sostensible de tamaño de las computadoras
Explicación: