Diferencia mosfet enriquecimiento y empobrecimiento
Respuestas a la pregunta
Respuesta:
EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO’. .
MOSFET de empobrecimiento, también Denominado MOSFET dedeplexión. Se compone de una pieza de material Tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La Zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde
La fuentehacia el drenador deben pasar a través del estrecho canal entre la
Puerta y la zona p.
EL MOSFET DE ENRlQUEClMlENTO
el MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte cuando la tensión de puesta es cero. La única forma de obtener corriente es mediante una tensión de puerta positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la región p, y éstos se recombinan con los huecos cercanos aldióxido de silicio. Cuando la tensión de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos próximos al dióxido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina capa de inversión tipo n. Cuando existe, los electrones libres pueden circular fácilmente desde la fuente hacia el drenador. La VGS mínima que crea la capa de inversión de tipo n se llama tensión umbral (en inglés: threshold voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th), una capa de inversión tipo n conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es grande. Los valores típicos de VGS(th) para dispositivos de pequeña señal puede variar entre 1 y 3 V. El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad mejora cuando la tensión de puerta es mayor que la tensión umbral. Los dispositivos de enriquecimiento están normalmente en corte cuando la tensión de puerta es cero.
Explicación: